“28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”荣获中国电子学会科学技术奖二等奖

2019-07-14  阅读 187 次

“28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”荣获中国电子学会科学技术奖二等奖

“28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”荣获中国电子学会科学技术奖二等奖稿件来源:EDA中心郭叶发布时间:2019-05-05  在月日召开的第十四届中国电子信息技术年会上,微电子所“纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目荣获中国电子学会科学技术奖二等奖。

  “纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目由中心陈岚研究员领衔的先进集成电路设计及技术团队完成,团队面向国际发展前沿和国家重大需求,以集成电路设计重大应用问题为牵引,系统深入的研究了芯片设计与工艺协同的技术,新型工艺精确建模技术,高性能版图数据并行处理技术,基于物理知识库的设计与工艺协同优化等核心技术,形成了系统的技术体系,取得了先进纳米工艺可制造性设计解决方案、快速大版图数据处理算法、多套以及通用电路等系列原创性科技成果,已在国内龙头企业进行应用验证并获得了高度评价,为我国先导工艺的应用推广做出了重要贡献。   相关研究工作得到了国家科技重大专项课题、国家自然科学基金项目和北京市科委项目、中科院等项目的资助。

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